多晶硅材料小知识A、太阳能级多晶硅料 技术要求：总体要求：硅含量99.9999% 含硼量：<0.20ppba 含磷量：<0.90ppba 含碳量：<1.00ppba 金属含量：<30.00ppba 金属表面含量：<30.00ppba 尺寸大小要求：25mm---250mm 多晶种类：P型 电阻率：>0.50Ohmcm B、破碎半导体级硅片技术要求：半导体级碎硅片 片子形状为圆弧形碎片 硅片厚度>=400um 型号为P型 电阻率：>0.50Ohmcm C、小多晶硅技术要求1. 型号为N型，电阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于 5*1017/cm32. 块状为4mm3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料 D、直拉多晶硅技术要求1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm， 硼检为P型，电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017 cm32. 块状小于30mm3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料E、区熔头尾料技术要求1. N型，电阻率大于50chmom 少数载流子寿命大于100μm2. 块状大于 30mm3. 区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物。

4. 最好为免洗料F、直拉头尾料（IC料），最好为免洗料1. N型，电阻率大于10ohmom2. P型，电阻率大于 0.5ohmom3. 块状大于30mm，片厚大于0.5mm4. 直拉头尾料不能气泡，更不能有不熔物。